Плотность хранения данных во флэш-памяти напрямую связана с ее ресурсом. Чем меньше плотность, тем более долговечна память. Samsung только что представила рекордно плотную память и потому ее ресурс остается неизвестным. Зато можно ожидать более дешевых твердотельных накопителей SSD большой емкости.

Samsung готовится представить ряд новых продуктов на предстоящей Международной конференции твердотельных схем (ISSCC). Одним из них будет новаторский 280-слойный чип флэш-памяти QLC V9 NAND, который проложит путь к более доступным и емкостным твердотельным накопителям (SSD).

Как и в случае со всеми другими продуктами, которые Samsung и другие производители будут демонстрировать на конференции, полные детали новинки неизвестны. Но уже известно, что южнокорейский технологический гигант представит 280-слойную флеш-память 3D-NAND 1 Тб 4b/cell с плоскостной плотностью 28,5 Гбит/мм2 и скоростью ввода-вывода 3,2 Гбит/с.

Главный вывод из этого – рекордные 280 слоев и плотность 28,5 Гбит/мм2. Это означает, что он превзойдет текущего лидера отрасли, китайскую компанию Yangtze Memory Technologies (YMTC), предлагающую 232-слойный NAND со скоростью 19,8 Гбит/мм2. Новый продукт Samsung почти на 44% плотнее.

Однако прорыв Samsung не лишен проблем. Поскольку накопители QLC используют буфер SLC, заявленные высокие скорости будут доступны только для первых нескольких сотен гигабайт. После заполнения буфера скорость передачи значительно уменьшается. Часто накопители с памятью QLC NAND оказываются медленнее, чем уже почти забытые механические жесткие диски HDD.

Потенциальная емкость нового чипа южнокорейского гиганта неизвестна. Есть слухи, что он может использоваться в накопителях M.2 на 8 ТБ или даже больше. Сейчас самый большой потребительский накопитель Samsung имеет емкость 4 ТВ, поэтому это было бы огромным шагом к наращиванию емкости потребительских SSD.

Samsung не единственный производитель, демонстрирующий новый продукт NAND. На том же мероприятии, позже в той же сессии, Micron расскажет о флеш-памяти 1 ТБ плотности 3b/Cell 3D-NAND по технологии уровня 2YY с пропускной способностью записи 300 Мбит/с.